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國(guó)標(biāo)編號(hào)22011，CAS號(hào)7440-37-1，分子式 Ar，分子量39.95，無(wú)色無(wú)臭的惰性氣體；蒸汽壓202.64kPa(-179℃)；熔點(diǎn) -189.2℃；沸點(diǎn)-185.7℃；溶解性：微溶于水；密度：相對(duì)密度(水=1)1.40(-186℃)；相對(duì)密度(空氣=1)1.38；穩(wěn)定性：穩(wěn)定；危險(xiǎn)標(biāo)記5(不燃?xì)怏w)；主要用途：用于燈泡充氣和對(duì)不銹鋼、鎂、鋁等的電弧焊接，即“氬弧焊”。
       氬氣的應(yīng)用領(lǐng)域：
       不銹鋼焊接保護(hù)氣體、鋁合金焊接保護(hù)氣體、銅合金的焊接保護(hù)氣體、高純氬氣廣泛用于ICP光譜儀、高純氬氣廣泛用于節(jié)能燈、白熾燈、日光燈的填充氣體、高純氬氣用于ArF準(zhǔn)分子激光氣體、超純氬氣用于電子行業(yè)制造。
      氬氣的特殊用途：
        用于焊接、不銹鋼制造、冶煉，還用于半導(dǎo)體制造工藝中的化學(xué)氣相淀積、晶體生長(zhǎng)、熱氧化、外延、擴(kuò)散、多晶硅、鎢化、離子注入、載流、燒結(jié)等氬氣作為制作單晶及多晶硅的保護(hù)氣，為了提高硅晶體的質(zhì)量，如何選用較高純度的氬氣，是制作硅晶體的一個(gè)議題。通過(guò)對(duì)本裝置的使用，氬氣的純度其中氧含量小于1ppm時(shí)，水分也小于1ppm時(shí)，制作出的單晶硅其氧碳含量***小于0.5ppm，這樣***提高了單晶的使用壽命并能達(dá)到要求，贏得客戶的滿意和市場(chǎng)的需求。由于一般液氬汽化后未經(jīng)過(guò)純化處理，它的氧含量一般在2ppm~5ppm。有時(shí)氣體供應(yīng)商提供的氬氣超過(guò)了此范圍，但使用氬氣的客戶確不知道其質(zhì)量，所以往往給生產(chǎn)產(chǎn)品質(zhì)量造成影響。有了氬氣純化裝置后不論氬原料氣的質(zhì)量如何，只要經(jīng)過(guò)純化裝置的處理后，進(jìn)入拉晶爐的氬氣，純度始終是恒定的。一般 O2＜0.2ppm，水分＜1ppm，這樣穩(wěn)定的氬氣對(duì)生產(chǎn)晶體質(zhì)量是有******的。
    大氣壓等離子滲氮因其工業(yè)化前景獲得格外關(guān)注，但研究者多關(guān)注于工藝參數(shù)對(duì)金屬氮化物薄膜性能的影響，對(duì)等離子體改性過(guò)程中光譜輻射特性的研究較少。同時(shí)為獲得穩(wěn)定的N2等離子體放電，通常在反應(yīng)器中添加一定量的氬氣。